8 (3412) 77-07-61

по будням с 9:00 до 18:00

Транзисторы



2DB1689-7, Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 300 МГц, 300 мВт, 500 мА, 270 hFE

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы..

18.90 р.

  0 отзывов

2DB1689-7, Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 300 МГц, 300 мВт, 500 мА, 270 hFE

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы..

18.90 р.

  0 отзывов

2DD2652-7, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 260 МГц, 300 мВт, 500 мА, 270 hFE

The 2DD2652-7 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor offers low collector-emitter saturation volt..

16.80 р.

  0 отзывов

2DD2652-7, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 260 МГц, 300 мВт, 500 мА, 270 hFE

The 2DD2652-7 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor offers low collector-emitter saturation volt..

16.80 р.

  0 отзывов

2DD2661-13, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 170 МГц, 900 мВт, 1 А, 270 hFE

The 2DD2661-13 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor ideally suited for automated assembly proce..

24.50 р.

  0 отзывов

2DD2661-13, Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 170 МГц, 900 мВт, 1 А, 270 hFE

The 2DD2661-13 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor ideally suited for automated assembly proce..

24.50 р.

  0 отзывов

2DD2679-13, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 240 МГц, 900 мВт, 1.5 А, 270 hFE

The 2DD2679-13 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor ideally suited for automated assembly proce..

25.90 р.

  0 отзывов

2DD2679-13, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 240 МГц, 900 мВт, 1.5 А, 270 hFE

The 2DD2679-13 is a NPN surface-mount Bipolar Transistor ideally suited for automated assembly proce..

25.90 р.

  0 отзывов

2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

The 2MBI100TA-060-50 is a 600V IGBT Module with NPT half-bridge designed for uninterruptible power s..

2 226.00 р.

  0 отзывов

2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

The 2MBI100TA-060-50 is a 600V IGBT Module with NPT half-bridge designed for uninterruptible power s..

2 226.00 р.

  0 отзывов

2MBI100VA-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули..

3 794.00 р.

  0 отзывов

2MBI100VA-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули..

3 794.00 р.

  0 отзывов

2MBI150U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module

The 2MBI150U4A-120-50 is a 1200V IGBT Module with Trench Half-Bridge designed for uninterruptible po..

4 270.00 р.

  0 отзывов

2MBI150U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module

The 2MBI150U4A-120-50 is a 1200V IGBT Module with Trench Half-Bridge designed for uninterruptible po..

4 270.00 р.

  0 отзывов

2MBI200U2A-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.45 В, 660 Вт, 600 В, Module

The 2MBI200U2A-060-50 is a NPT half-bridge IGBT Module for use with inverters, welding and lasers. •..

3 248.00 р.

  0 отзывов

Показано с 1 по 15 из 10994 (всего 733 страниц)